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從開槽到分層切割:劃片機階梯式進刀技術對刀具磨損的影響分析

2025-04-15 0

劃片機分層劃切工藝介紹?

一、?定義與核心原理?

分層劃切工藝是一種針對硬脆材料(如硅晶圓、陶瓷)的精密切割技術,通過分階段控制切割深度和進給速度,減少材料損傷并提高切割質量。其核心原理是通過“階梯式”分層切割方式,逐步完成切割深度的控制?。

二、?工藝流程與關鍵技術?

開槽劃切(首次切割)?

采用較小的進給深度(通常為總切割深度的10%~30%),通過高速旋轉的金剛石刀片進行初步開槽。

作用?:降低刀具受力、減少切割道正面崩邊及刀具磨損?。

參數控制?:主軸轉速(3萬~6萬轉/分)與工作臺移動速度需協同優化,確保切割穩定性?。

分層劃切(后續切割)?

沿首次切割的劃切道繼續分層進給,逐步增加切割深度,直至完成全厚度切割。

關鍵要求?:每層切割需保持一致的切割軌跡,避免因偏離導致背面崩邊或晶圓破損?。

切割膜厚度控制?

過深風險?:切透切割膜會導致真空吸附失效,晶圓無法固定?。

過淺風險?:背面崩邊嚴重,影響芯片良率?。

解決方案?:通過傳感器實時監控切割深度,確保最后一層切割深度精準?。

三、?技術優勢?

降低刀具磨損?:分層切割分散了單次切割的應力,延長刀具壽命?。

提升良率?:減少崩邊和微裂紋,適用于超薄晶圓(如50μm厚度)的加工?。

適應復雜工藝?:支持高克重堆疊工藝、應力釋放開槽等需求,如NAND/DRAM芯片的堆疊封裝?。

四、?應用場景?

超薄晶圓加工?:如12英寸晶圓的半切工藝,滿足先進封裝需求(如COWOS封裝)?。

高精度封裝器件?:QFN、BGA等集成電路的無膜劃切,需配合全自動分選檢測設備實現高效加工?。

新興材料切割?:如碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等第三代半導體的分層切割?。

五、?工藝發展趨勢?

自動化集成?:結合視覺檢測、自適應控制算法,實現分層切割參數的動態調整?。

多工藝融合?:與研磨、拋光等工序集成,形成研拋一體化的全自動設備?。

通過分層劃切工藝,劃片機在半導體封裝領域實現了高精度、低損傷的切割需求,成為先進封裝技術的重要支撐?。


(本文由博捷芯劃片機編輯發布,如需轉載須注明出處:www.schqsy.com,專注于精密劃片、切割以及特殊切割加工等領域)
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