晶圓切割工藝

一、晶圓切割是太陽能電池和半導體芯片生產的基本環節。目前，晶體硅片的切割方法是線切割。線切割技術始于21世紀初。在線切割過程中，將混合有切削液（通常為聚乙二醇）和切削刃材料的砂漿噴涂在由細鋼絲組成的鋼絲網上。通過細鋼絲的高速運動，磨碎砂漿中的刃口材料，使硅棒或硅錠表面高速緊靠在鋼絲網上。由于切削刃材料顆粒具有非常鋒利的棱角，且硬度遠高于硅棒或硅錠，因此，硅棒或硅錠與鋼絲之間的接觸區域逐漸被切削刃顆粒磨掉，從而達到切削效果。同時，切削液帶走了切削過程中產生的熱量和細粉。硅棒可根據不同的主輥槽間距和鋼絲直徑切割成特定厚度的晶體硅片

目前晶體硅片的線切割工藝如下：

二、晶硅片刃口材料的重要作用

晶硅片刃口材料具有高硬度、強耐磨性、高耐腐蝕性和高溫強度的特點。高純度超細切邊材料是晶體硅片線切割過程中不可缺少的特殊材料

硅片切邊材料在太陽能電池硅片生產過程中的作用如下圖所示：

硅片切邊材料在生產中的作用半導體晶圓的工藝流程如下圖所示：

硅片切割是硅片制造的關鍵工序之一，切割質量不僅影響后續的研磨、拋光、蝕刻等工序，它還將影響太陽能電池的轉換效率或半導體器件的最終質量。切片技術的基本要求是：A.高切割精度、高表面平行度、小翹曲和厚度公差；B.截面完整性好，消除拉絲、刀痕和微裂紋；C.提高產量，減少刀（鋼絲）的切口，減少原材料的損失；D.提高切割速度，實現自動切割。硅片的切削刃材料是影響硅片切削質量的重要因素之一。這對提高硅片的產量和質量，提高加工效率，降低加工成本，增加硅片的加工直徑具有重要意義。