封裝經過之前幾個工藝處理的晶圓上會形成大小相等的方形芯片（又稱“單個晶片”）。下面要做的就是通過切割獲得單獨的芯片。剛切割下來的芯片很脆弱且不能交換電信號，需要單獨進行處理。這一處理過程就是封裝，包括在半導體芯片外部形成保護殼和讓它們能夠與外部交換電信號。整個封裝制程分為五步，即晶圓鋸切、單個晶片附著、互連、成型和封裝測試。1、晶圓鋸切要想從晶圓上切出無數致密排列的芯片，我們首先要仔細“研磨”晶圓的...
測試測試的主要目標是檢驗半導體芯片的質量是否達到一定標準，從而消除不良產品、并提高芯片的可靠性。另外，經測試有缺陷的產品不會進入封裝步驟，有助于節省成本和時間。電子管芯分選 (EDS) 就是一種針對晶圓的測試方法。EDS是一種檢驗晶圓狀態中各芯片的電氣特性并由此提升半導體良率的工藝。EDS可分為五步，具體如下 ：1、電氣參數監控 (EPM)EPM是半導體芯片測試的第一步。該步驟將對半導體集成電路需要用到的每...
互連半導體的導電性處于導體與非導體（即絕緣體）之間，這種特性使我們能完全掌控電流。通過基于晶圓的光刻、刻蝕和沉積工藝可以構建出晶體管等元件，但還需要將它們連接起來才能實現電力與信號的發送與接收。金屬因其具有導電性而被用于電路互連。用于半導體的金屬需要滿足以下條件：低電阻率：由于金屬電路需要傳遞電流，因此其中的金屬應具有較低的電阻。熱化學穩定性：金屬互連過程中金屬材料的屬性必須保持不變。高可靠性：隨...
顧名思義，物理氣相沉積是指通過物理手段形成薄膜。濺射就是一種物理氣相沉積方法，其原理是通過氬等離子體的轟擊讓靶材的原子濺射出來并沉積在晶圓表面形成薄膜。
刻蝕在晶圓上完成電路圖的光刻后，就要用刻蝕工藝來去除任何多余的氧化膜且只留下半導體電路圖。要做到這一點需要利用液體、氣體或等離子體來去除選定的多余部分。刻蝕的方法主要分為兩種，取決于所使用的物質：使用特定的化學溶液進行化學反應來去除氧化膜的濕法刻蝕，以及使用氣體或等離子體的干法刻蝕。1、濕法刻蝕使用化學溶液去除氧化膜的濕法刻蝕具有成本低、刻蝕速度快和生產率高的優勢。然而，濕法刻蝕具有各向同性的特點，...
光刻光刻是通過光線將電路圖案“印刷”到晶圓上，我們可以將其理解為在晶圓表面繪制半導體制造所需的平面圖。電路圖案的精細度越高，成品芯片的集成度就越高，必須通過先進的光刻技術才能實現。具體來說，光刻可分為涂覆光刻膠、曝光和顯影三個步驟。1、涂覆光刻膠在晶圓上繪制電路的第一步是在氧化層上涂覆光刻膠。光刻膠通過改變化學性質的方式讓晶圓成為“相紙”。晶圓表面的光刻膠層越薄，涂覆越均勻，可以印刷的圖形就越精細。...
氧化 氧化過程的作用是在晶圓表面形成保護膜。它可以保護晶圓不受化學雜質影響、避免漏電流進入電路、預防離子植入過程中的擴散以及防止晶圓在刻蝕時滑脫。 氧化過程的第一步是去除雜質和污染物，需要通過四步去除有機物、金屬等雜質及蒸發殘留的水分。清潔完成后就可以將晶圓置于800至1200攝氏度的高溫環境下，通過氧氣或蒸氣在晶圓表面的流動形成二氧化硅（即“氧化物”）層。氧氣擴散通過氧化層與硅反應形成不同厚度的氧化...
一、晶圓加工 所有半導體工藝都始于一粒沙子！因為沙子所含的硅是生產晶圓所需要的原材料。晶圓是將硅(Si)或砷化鎵(GaAs)制成的單晶柱體切割形成的圓薄片。要提取高純度的硅材料需要用到硅砂，一種二氧化硅含量高達95%的特殊材料，也是制作晶圓的主要原材料。晶圓加工就是制作獲取上述晶圓的過程。1、鑄錠 首先需將沙子加熱，分離其中的一氧化碳和硅，并不斷重復該過程直至獲得超高純度的電子級硅(EG-Si)。高純硅熔化成...
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